（４）導体表面のエッチングの欠損の長さ（l)については２w以下までOK

（４）導体表面のエッチングの欠損の長さ（l)
については２w以下までOKとする。（２）（３）
に適用する。ング 欠損 幅は 以下ま OKとする

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 1:

(4) the length of the defect of etching of semiconductor surfaces (l)For that to be OK up to 2 Watts or less. (2) (3)To be applied. Operating defect width is below up OK and

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 2:

(4) the length of the defect of the etching of the conductor surface (l)
For the OK to less than 2w. (2) (3)
to apply to. Ing deficit width is equal to or less than or OK

ผลลัพธ์ (อังกฤษ) 3:

(4) the surface etching defect length (L)With regard to the following OK to 2. (2) and (3)To apply. However, the width of less than one OK defect